MDpicts 微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀
MDpicts
微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀
圖1. 與溫度有關的載流子發(fā)射瞬態(tài)
靈敏度：半導體材料電學缺陷分析的高靈敏度
溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度
衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
沾污檢測：電學陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等
重復性：> 99.5%，測量時間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
靈活性：從365 nm 到1480nm，根據(jù)不同材料選擇不同波長激發(fā)光源
可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠程操作和技術支持
圖2. 不同缺陷的評價
從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能。
圖3.Arrhenius曲線圖
利用這種新型MDPpicts設備，可在20~500k范圍內測量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導。
Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半導體材料已成功采用了這種方法進行研究。 溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度
衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
沾污檢測：電學陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等
重復性：> 99.5%，測量時間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
靈活性：從365 nm 到1480nm，根據(jù)不同材料選擇不同波長激發(fā)光源
可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠程操作和技術支持
圖2. 不同缺陷的評價從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能。
圖3.Arrhenius曲線圖利用這種新型MDPpicts設備，可在20~500k范圍內測量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導。
圖4. 不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜